PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng)，是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。

 性能指標(biāo)

透射電子顯微鏡指標(biāo)：

● 兼容指定型號電鏡及極靴；

● 單傾可選高傾角版本；

● 可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn)±25°（同時受限于極靴）；

● 測量電極數(shù)可選。

電學(xué)測量指標(biāo)：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電壓輸出最大±200 V，最小±100 nV；

● 電流測量最大±1.5 A，最小100 fA；

● 恒壓或者恒流模式；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

低溫指標(biāo)：

● 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片；

● 全溫區(qū)測量，溫度范圍：85 K- 380 K；

● 控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 K；

● 溫度連續(xù)可控。

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