掃描電鏡（SEM）中的“電荷積聚”（Charging）現(xiàn)象是指非導(dǎo)電樣品在電子束照射下無(wú)法及時(shí)釋放電荷，導(dǎo)致電子在樣品表面積累，從而引起圖像漂移、畸變、亮斑或黑斑等問(wèn)題。

為了解決電荷積聚問(wèn)題，可以采用以下方法：

1. 樣品導(dǎo)電處理

金屬噴鍍：在樣品表面噴鍍一層金、鉑、碳等導(dǎo)電材料（常用金屬蒸發(fā)或離子濺射方式），形成導(dǎo)電路徑。

碳膜覆蓋：使用碳膠、導(dǎo)電碳膜覆蓋樣品表面，尤其適用于生物樣品或易受熱損傷樣品。

2. 使用低真空模式（Low Vacuum / Variable Pressure）

開(kāi)啟低真空/環(huán)境電鏡模式，使腔室中保留一定氣壓（如水蒸氣或氮?dú)猓?，電離氣體可中和樣品表面多余電荷，降低積聚效應(yīng)。

3. 降低加速電壓

減小電子束的穿透深度和積聚量，例如將加速電壓從 20?kV 降至 5–10?kV，可減少電荷注入和局部積累。

4. 減少束流強(qiáng)度

調(diào)整光闌或探針電流，減小電子束流密度，延緩電荷積聚速度。

5. 縮短掃描時(shí)間

使用快速掃描模式，縮短電子束停留時(shí)間，從而減小電荷積累。

6. 使用導(dǎo)電膠或?qū)щ妿Ч潭悠?/span>

將樣品固定在導(dǎo)電載臺(tái)上時(shí)，用導(dǎo)電膠或銅膠帶連接樣品與樣品臺(tái)，確保接地通暢。

7. 樣品傾斜或局部避開(kāi)照射中心

輕微傾斜樣品可改變電荷積聚方向；避開(kāi)過(guò)度集中照射區(qū)域也能減少局部充電。