如何避免樣品在掃描電鏡中受到輻射損傷？
日期：2023-10-10
要避免樣品在掃描電鏡（SEM）中受到輻射損傷，可以采取以下措施：
使用適當(dāng)?shù)墓ぷ骶嚯x：將電子束與樣品之間的工作距離保持在較遠的范圍內(nèi)。增加工作距離可以減少電子束對樣品的輻射。
降低電子束電流：減少電子束的電流，以降低能量輸入，從而減少樣品的輻射損傷。
使用低電子束能量：選擇較低的電子束能量，通常在1-5千伏之間，以減少電子束的穿透能力。
使用樣品導(dǎo)電涂層：在非導(dǎo)電樣品上涂覆薄薄的導(dǎo)電涂層，如金屬薄膜，以提高導(dǎo)電性，減少充電效應(yīng)。
控制掃描速度：降低掃描速度可以減少每個像素點的電子束暴露時間。
適當(dāng)?shù)睦鋮s：對于易受熱損傷的樣品，可以考慮在SEM操作期間使用樣品冷卻系統(tǒng)，以減小樣品溫度。
限制分析時間：在分析中盡量減少電子束的暴露時間，避免過長時間的掃描。
使用低真空模式：在SEM中使用低真空模式可以減少電子束對樣品的輻射損傷，因為低真空條件下電子與氣體分子相互作用較少。
優(yōu)化SEM參數(shù)：根據(jù)具體的樣品和分析需求，優(yōu)化SEM參數(shù)，以降低電子束對樣品的影響。
進行先行實驗：在正式實驗之前進行一些試驗性的SEM操作，以確定合適的參數(shù)，以減少樣品的損傷。
定期檢查樣品：定期檢查樣品，確保沒有明顯的損傷或變化。
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作者：澤攸科技